CG20260331004
2026-04-07 00:00
因故取消，停止后续采购活动。
半导体探测器的工艺开发-废标公告
发布时间：2026-04-09 16:57
| 序号 | 物品名称 | 品牌/生产商 | 指标需求 | 计量单位 | 采购数量 | 交货周期 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 半导体探测器的工艺开发 | 完成探测器制备工艺流程卡，基于硅片制备半导体探测器，具有阴极、阳极进行表征测试。工艺流程包含如下部分； （1） 高阻硅片的清洗;(RCA清洗) （2） 高温氧化形成绝缘层；800-1000nm （3） 光刻并刻蚀形成阳极接口；刻蚀到80-100nm （4） 离子注入形成阳极；1015/cm2 （5） 光刻漂移环以及背面，两面离子注入形成阴极； 剂量正面1014，背面1015 注入激活 950℃ 30S， （6） 光刻正反面电极窗，BOE腐蚀开窗，生长Al电极;0.6-1um厚，合金化，400-500℃，20-30S | 套 | 1 | 签订合同后一年半以内 |