CG20260610010
2026-07-03 17:00
上海科技大学
硅像素阵列探测器芯片加工-成交公告
发布时间：2026-09-11 15:18
| 序号 | 物品名称 | 品牌/生产商 | 指标需求 | 计量单位 | 采购数量 | 交货周期 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 硅像素阵列探测器芯片加工 | 无 | 采购需求： 1、根据需求，完成像素阵列探测器芯片的设计和加工，提供加工完成的芯片。整个加工分两轮完成，第一轮先提供少量样片，根据测试结果优化设计和工艺参数，第二轮提供全部芯片。 2、交付时需提供针对关键技术指标的测试结果。 3、竞价厂家需完成第一轮样片芯片和后端读出ASIC芯片的倒装焊接，以便测试。ASIC芯片由采购方提供。 具体技术指标如下： （1）交付的传感器晶粒（DIE）数量：≥120片 （2）传感器类型：N型FZ高阻硅，电阻率≥10 kΩ·cm，p-i-n探测器 （3）传感器芯片平整度（划片后）：≤20μm （4）像素阵列：512 x 448 （5）像素间距：55μm x 55μm （6）钝化层开孔直径：16μm （7）晶粒（DIE）尺寸：29.96mm x 24.7mm （8）全耗尽电压：≤100V （9）击穿电压：≥500V （10）工作电压：≥200V （11）入射窗厚度：≤3μm （12）CCR漏电流（200V偏压、辐照前）：≤100nA （13）像素间电容（通过测试结构表征）：≤500fF | 片 | 120 | 6个月 |