CG20260920003
2026-09-24 00:00
中国科学院上海硅酸盐研究所
| 序号 | 物品名称 | 品牌/生产商 | 指标需求 | 计量单位 | 采购数量 | 交货周期 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | BGO晶体 | 工作环境温度 0℃~+60℃ *单根晶体切割尺寸 9.9mm×9.9mm×20mm *晶体条中心距 10.0mm *晶体阵列规格 5×10 内反射层之间填充材料 硫酸钡 内反射层之间填充材料尺寸 0.10mm 外反射层材料 硫酸钡 外反射层材料尺寸 0.25mm 外保护层材料 铝箔 外保护层材料尺寸 0.05mm 阵列总尺寸 (含外围保护层) 50.4mm×100.4mm×20.0mm *公差及精度要求 负公差,精度±0.02mm #发光衰减时间 ≤300ns #光产额 ≥8500photon/MeV@25℃ #发射峰值波长 480nm±10nm *阵列内晶体一致性要求 光输出>85% *各阵列总峰位一致性要求 总能谱峰位>85% #能量分辨率 ≤15%@511keV #特殊要求 出光面为6mm×6mm时,光输出衰减不大于50% | 个 | 20 | 2个月 |