CG20260924002
2026-10-10 00:00
营业执照、质量管理体系、原厂授权证明
SiPM芯片-需求公告
发布日期：2026-09-28
| 序号 | 物品名称 | 品牌/生产商 | 指标需求 | 计量单位 | 采购数量 | 交货周期 | 交货地点 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | SiPM芯片 | #工作环境温度 适于在气温为摄氏-40℃~+85℃下运行，且能够连续正常工作 #硅光倍增管雪崩电压 <30V *单片硅光电倍增管封装尺寸 6.0mm ~6.3 mm #单片硅光电倍增管封装尺寸精度 ≤0.05mm *单片硅光电倍增管光敏感区尺寸 6.0mm ~6.1 mm # 单片硅光电倍增管光敏感区尺寸精度 ≤0.05mm * 单片硅光电倍增管微元尺寸 25 μm~75 μm # 需同时具备阴极、阳极、快信号三路读出功能 # 可探测光子波长范围及峰值波长 200nm-900nm（条件：PDE > 2.0%，过电压+ 6.0 V） #可探测光子峰值波长 420nm # 光子探测效率（PDE） ＞35%（条件：过电压+2.5V，峰值波长） # 暗计数率、暗电流（Dark count rate、Dark current） ＜100kHz/mm2 ＜1.0μA（条件：过电压+2.5V，21℃） #阳极-阴极结电容 ＜4200pF #阳极-阴极之间的增益 ＞2×106（过电压+2.5V） # 批量雪崩电压一致性 ±0.25V（3σ） | 个 | 1000 | 合同签订后30个自然日内 | 济南中科核技术研究院 |
| 附件名称 | 附件类型 | 操作 |
|---|---|---|
| SiPM芯片采购文件.docx | 技术文件 | 下载 |
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